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去年年底，全球对人工智能的投资已经推动存储芯片行业进入“超级繁荣周期”。利润屡创新高。预计2026年第一季度的价格将比上一季度再上涨50%。
但事情并没有那样发展。情况变得更好了——好得多。
周四，公布的第一季度净利润超过300亿美元。这不仅打破了该公司此前的季度纪录，而且几乎超过了这家韩国公司全年利润的最高纪录。
三星第一季度约 94% 的营业利润来自其半导体业务。
三星的主要内存竞争对手——韩国的SK海力士和美国的Micron Technology也取得了类似的惊人成绩。它们主导着内存市场，而内存则与的处理器芯片一起用于人工智能计算。
尽管人们越来越担心人工智能服务最终能否带来巨额利润，但参与相关基础设施建设的公司却正获得一笔巨额收益。
这波历史性的上涨行情似乎短期内不会结束。三星负责内存业务的执行副总裁金在俊表示，根据三星的预订订单情况，预计明年供应短缺的情况会更加严重。他在周四的财报电话会议上说：“现有供应远远无法满足客户需求。”
今年以来，三星股价已上涨72%，SK海力士股价上涨90%，美光股价上涨65%。
据科技市场研究公司Trendforce的数据显示，2026年第一季度内存价格环比上涨近100%，约为最初预期涨幅的两倍。
近年来，内存制造商优先生产人工智能所需的专用内存——高带宽内存（HBM），这反过来又限制了智能手机、个人电脑和通用服务器等常用传统内存芯片的供应。训练大型语言模型通常需要将英伟达的图形处理器与HBM结合使用。
最近，对推理（一种使训练好的人工智能模型能够响应用户查询的计算类型）的需求有所增长。这刺激了对使用传统内存的通用服务器的需求，并将三星、SK海力士和美光的盈利推向了新的高度。
据FactSet估计，这三家公司2026年的净利润预计将达到约3500亿美元。预计每家公司都将跻身全球十大最赚钱上市公司之列——三星将超越Alphabet、微软和苹果，跃居第二位。一年前，没有一家内存制造商进入前十。
一座芯片制造厂（或称晶圆厂）的造价可能高达 200 亿美元，建设周期长达数年。三星、SK 海力士和美光正在建设新的工厂，但行业分析师表示，产能可能要到 2027 年底或 2028 年才能达到满负荷运转。许多生产线都用于生产 HBM，与传统内存相比，HBM 需要占用更多产能。
内存主要分为两大类：DRAM，用于服务器、PC 和其他电子设备中的临时存储，以加快数据处理速度；以及 NAND 闪存，用于长期数据存储，例如在手机上存储照片。
HBM 是通过将 DRAM 芯片堆叠而成，然后与英伟达等公司生产的处理器一起封装，以加速人工智能计算。英伟达与三星、SK 海力士和美光密切合作。
Counterpoint 的半导体研究分析师 MS Hwang 表示，这两种类型的营业利润率都比往常水平翻了一番，DRAM 的营业利润率达到 80% 左右，NAND 闪存的营业利润率达到 60% 左右。
黄补充道，服务器、PC 和智能手机行业的许多大公司都在支付溢价，以大量采购内存，从而限制竞争对手的供应。“这体现了一种理念：谁能主导内存供应，谁就能主导人工智能，”他说道。
“我们今天看到的是市场有史以来最严重的内存短缺，”全球电子元件分销商 FusionWorldwide 的执行副总裁 Marcus Chen 表示。Chen 支持的大多数客户只能获得所需内存芯片的 30% 到 50%。“有些甚至更少，”他说道。
客户和内存芯片制造商长期以来依赖口头协议来确保长期供应，但现在在某些情况下，他们开始签订具有约束力的合同。花旗集团半导体分析师 Peter Lee 表示，一些合同的期限长达五年，要求客户预付约 30% 的成本，或分担新建内存芯片工厂的投资成本。
“我们看到客户正在采取这样的措施，”Lee 说道。
存储会缺到2027年
如上所述，在三星于2026年4月30日发布的完整财报中，该公司内存业务负责人金在俊警告称，内存产品“严重短缺”的情况预计至少会持续到2027年。据报道，三星表示 ，由于客户争相确保未来的供应，需求满足率已降至历史新低。这一警告与“竞争对手”SK海力士在一周前财报电话会议上的表态非常相似。
三星和SK海力士与美国美光科技一起，控制着全球超过90%的DRAM市场份额。当全球三大内存供应商中的两家同时发出未来几年内存短缺的警告时，人们感到担忧也并非毫无道理。
造成内存短缺的主要原因是人工智能基础设施的需求。现代人工智能系统需要海量的高速内存来持续不断地向GPU和加速器提供数据。而造成这一需求激增的核心是HBM（高带宽内存），这是一种垂直堆叠的DRAM，旨在提供极高的带宽，同时保持与处理器物理距离很近。
HBM已成为人工智能加速器的关键组成部分。然而，这项技术的制造难度高、成本昂贵，需要先进的芯片堆叠、精密键合和复杂的封装技术。因此，供应有限，而需求却超过了制造商的产能。
虽然HBM内存短缺主要是由其需求驱动的，但其影响正开始蔓延至更广泛的内存市场。由于HBM本身就是一种DRAM，制造商正越来越多地将产能、工程资源和投资重新分配到利润丰厚的AI内存产品上。这种转变可能会导致用于服务器、PC和移动设备的传统DRAM产品的供应趋紧。此外，随着AI数据中心需要海量存储基础设施以及计算硬件，企业级SSD的需求也在不断增长。
具有讽刺意味的是，由于现有内存架构功耗巨大，业界同时也在寻求替代方案。我们近期报道了正在研发的下一代内存技术，例如3D X-DRAM和ZAM（Z-Angle Memory），这些技术旨在降低功耗并突破扩展性限制。
尽管对未来替代方案进行了大量投资，但对现有存储技术的需求仍然十分旺盛。
据报道，三星表示，部分客户已经确保了到 2027 年的供货配额。今年早些时候，SK 集团董事长崔泰元曾表示，人工智能相关的内存需求压力可能会持续到 2030 年。
短缺对这些公司本身来说未必是坏消息。
三星半导体部门2026年第一季度营业利润达53.7万亿韩元（约合361亿美元），约占公司当季总利润的94%，主要得益于人工智能内存需求的飙升推动了创纪录的销售额。与此同时，SK海力士也公布了创纪录的季度营收，达52.6万亿韩元（约合355亿美元），营业利润达37.6万亿韩元（约合278亿美元），这主要得益于人工智能基础设施用HBM（人脑内存）的销售火爆。
部分问题具有周期性。内存行业历来在供过于求和供不应求之间摇摆不定。然而，分析师们越来越认为，此次周期有所不同，因为人工智能基础设施的增长正以前所未有的速度消耗硬件。
为应对危机，各公司正积极扩大产能，并加大对先进封装和存储器制造的投资。据《韩国时报》报道，近期提交的监管文件显示，三星电子计划在2025年向其位于西安的存储芯片工厂投资4654亿韩元，同比增长67.5%。SK海力士也大幅增加了支出，分别向其位于无锡的工厂投资5811亿韩元，向其位于大连的工厂投资4406亿韩元。
然而，半导体制造厂和先进存储器封装设施需要数年时间才能扩建和提高产能，这意味着供应增长无法跟上人工智能驱动的需求增长速度。
内存短缺问题正成为人工智能爆炸式发展带来的众多资源短缺问题之一。
GPU短缺问题在部分行业已经十分严重。本月初，我们报道了英特尔证实，市场需求异常旺盛，甚至出现了客户购买以往可能被丢弃或视为低价值产品的芯片的情况。
电力正成为另一个主要瓶颈。人工智能数据中心消耗大量电力，迫使科技公司寻求越来越非常规的能源解决方案。本月初，Meta Platforms支持了一项计划，该计划涉及太空太阳能发电系统，理论上可以将太阳能传输回地球，以帮助满足未来人工智能基础设施的需求。
内存价格不会下降了？
随着内存持续成为人工智能硬件讨论的焦点，韩国投资证券（KIS）的一份研究报告指出，内存价格可能不会下降。由于内存与人工智能GPU的性能直接相关，超大规模数据中心运营商已下了长期订单。KIS认为，即使这段时间过去，内存短缺对内存价格的影响也可能持续存在，因为内存芯片能够驱动人工智能GPU的关键性能指标。
该研究报告解释说，由于扩展内存容量可以提高GPU的利用率，从而提高GPU的成本效益，因为可以处理更多tokens。因此，人工智能公司订购了更多内存芯片，以提高效率并降低每个tokens的处理成本。由于更多内存允许更多tokens靠近GPU，GPU处理更多tokens的能力也随之提高，因为无需从存储设备“传输”tokens。
据KIS称，效率的提高不仅促使超大规模数据中心运营商下达长期产能订单，而且这种趋势未来可能还会继续。
研究公司KIS解释说，因此，尽管市场预期DRAM内存价格或需求会下降，但目前DRAM内存价格每年上涨三倍，价格可能仍将居高不下。KIS补充道，市场的观点可能存在缺陷，因为尽管价格更高，但GPU利用率提高带来的收益也更高，因为更大的内存容量可以提升系统级性能，而不仅仅是单个芯片的性能。
该公司补充道，对HBM和DRAM内存模块的高需求以及由此导致的产能紧张也推高了对NAND芯片的需求。这一需求与人们普遍认为的NAND芯片需求增长可能会缓解DRAM市场压力的观点相悖，因为各公司正致力于将NAND集成到人工智能系统中。支撑NAND需求持续高涨的另一个因素是其价格低于DRAM，这使得即使在需求极高的情况下，NAND芯片也能拥有更大的供应弹性。
HBM 容量紧张和 AI 超大规模数据中心的需求也在推动该领域的创新，像 SK 海力士这样的公司正在寻求通过混合键合等技术来增加单个芯片中的内存芯片数量，从而从封装中去除铜凸点。
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